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FastFacts
PROJEKT: Aufbau und Charakterisierung
der Komponenten eines effizienten
und kompakten Wechselrichters mit
Gleichspannungswandler auf Basis
von neuartigen Siliziumcarbid (SiC)-
Leistungshalbleitern
FVA:
— 637 II: SiC-Boost-VSI
— 637 III: VerSte-SiC
ZIEL: Es soll aufgezeigt und nachgewiesen
werden, welches Potenzial
in der SiC-Leitertechnologie für
Fahrzeuganwendungen steckt.
DAUER:
— SiC-Boost-VSI: 2 Jahre
— VerSte-SiC: 1 Jahr
FORSCHUNG:
Institut für Antriebssysteme
und Leistungselektronik der
Leibniz Universität Hannover
INVEST: 271.000 Euro
Maximaler Systemwirkungsgrad
von 98,4 %
bei hoher Schaltfrequenz
von 40 kHz
ERFOLG:
Einblick in die notwendigen Maßnahmen
und besonderen Gegebenheiten
beim Einsatz von SiC-Halbleitern
als fundierte Grundlage für Produktentwicklungen
Reduzierung der Chipfläche auf 24 %
80 % Ca.
Einsparungen beim Einsatz von SiC
