In diesem Forschungsvorhaben soll untersucht werden, inwiefern durch den Einsatz von aktiven Gatetreibern gleichzeitig Schaltverluste reduziert und Schädigungen von Maschinen durch steile Schaltflanken in Antriebssystemen mit schnell schaltenden Wide-Band-Gap Leistungshalbleitern aus SiC oder GaN… Mehr lesen